型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET39985+￥13.864550+￥13.2720200+￥12.9402500+￥12.85731000+￥12.77432500+￥12.67955000+￥12.62037500+￥12.5610 -
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品类: MOS管描述: N沟道,60V,200A,3mΩ@10V404310+￥9.6120100+￥9.1314500+￥8.81101000+￥8.79502000+￥8.73095000+￥8.65087500+￥8.586710000+￥8.5547 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC14635+￥12.074450+￥11.5584200+￥11.2694500+￥11.19721000+￥11.12502500+￥11.04245000+￥10.99087500+￥10.9392 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube86765+￥17.912750+￥17.1472200+￥16.7185500+￥16.61141000+￥16.50422500+￥16.38175000+￥16.30527500+￥16.2286 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics24341+￥59.706810+￥56.2810100+￥53.7361250+￥53.3446500+￥52.95311000+￥52.51262500+￥52.12115000+￥51.8764 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics27511+￥58.059810+￥54.7285100+￥52.2538250+￥51.8731500+￥51.49241000+￥51.06412500+￥50.68345000+￥50.4454 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics16941+￥44.310410+￥41.7680100+￥39.8794250+￥39.5888500+￥39.29821000+￥38.97142500+￥38.68085000+￥38.4992 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics10565+￥34.889450+￥33.3984200+￥32.5634500+￥32.35471000+￥32.14602500+￥31.90745000+￥31.75837500+￥31.6092 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3Pin(3+Tab) TO-247AC78511+￥128.340010+￥124.992050+￥122.4252100+￥121.5324200+￥120.8628500+￥119.97001000+￥119.41202000+￥118.8540 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V96355+￥5.008525+￥4.637550+￥4.3778100+￥4.2665500+￥4.19232500+￥4.09965000+￥4.062510000+￥4.0068 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IGW30N60T 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚73965+￥23.879750+￥22.8592200+￥22.2877500+￥22.14491000+￥22.00202500+￥21.83875000+￥21.73677500+￥21.6346 -
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品类: 肖特基二极管描述: Infineon **Infineon** 开关发射器控制二极管是快速 1和快速 2系列，还有 600V/1200V 超软二极管。 这些二极管可在各种应用中工作，如电信、UPS、焊接和交流-直流，超软型号可在高达 30kHz 的电动机驱动应用中工作 _**快速 1 **_二极管可在 18kHz 与 40kHz 之间切换 1.35V 温度稳定的正向电压 特别适用于功率因数校正 (PFC) 拓扑 **_快速 2 二极管_**可在 40kHz 与 100kHz 之间切换 低反向恢复电荷:正向电压比，确保 BiC 性能 短反向恢复时间 启动开关上低开启损耗 _**超快二极管**_ 600V/1200V 发射器控制技术 符合 JEDEC 标准 良好的 EMI 行为 低传导损耗 易于并联68455+￥25.307150+￥24.2256200+￥23.6200500+￥23.46861000+￥23.31712500+￥23.14415000+￥23.03607500+￥22.9278 -
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品类: 二极管阵列描述: Diode Schottky 1.2kV 54A 3Pin(3+Tab) TO-24739341+￥98.256010+￥93.9840100+￥93.2150250+￥92.6170500+￥91.67711000+￥91.24992500+￥90.65185000+￥90.1392 -
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品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) STW3N170 TO-247-328841+￥58.133010+￥54.7975100+￥52.3197250+￥51.9385500+￥51.55731000+￥51.12852500+￥50.74735000+￥50.5090 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC769910+￥11.9760100+￥11.3772500+￥10.97801000+￥10.95802000+￥10.87825000+￥10.77847500+￥10.698610000+￥10.6586 -
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品类: 电子元器件分类描述: WOLFSPEED C4D15120D Silicon Carbide Schottky Diode, Z-REC Series, Dual Common Cathode, 1.2kV, 49A, 37NC, TO-24713821+￥104.454510+￥99.9130100+￥99.0955250+￥98.4597500+￥97.46061000+￥97.00642500+￥96.37065000+￥95.8257 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET98605+￥19.328450+￥18.5024200+￥18.0398500+￥17.92421000+￥17.80862500+￥17.67645000+￥17.59387500+￥17.5112 -
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品类: 电子元器件分类描述: 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 267 W, 650 V, TO-247AB, 3 引脚37655+￥28.524650+￥27.3056200+￥26.6230500+￥26.45231000+￥26.28162500+￥26.08665000+￥25.96477500+￥25.8428 -
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品类: 电子元器件分类描述: FCH099N65S3-F155 管装60295+￥11.898950+￥11.3904200+￥11.1056500+￥11.03451000+￥10.96332500+￥10.88195000+￥10.83117500+￥10.7802 -
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品类: 电子元器件分类描述: 二极管, 碳化硅肖特基, 双共阴极, 650 V, 20 A, 25 nC, TO-24747061+￥44.591010+￥42.0325100+￥40.1319250+￥39.8395500+￥39.54711000+￥39.21822500+￥38.92585000+￥38.7430 -
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品类: 电子元器件分类描述: MOSFET SuperFET3 650V 23 mOhm41691+￥74.922510+￥71.6650100+￥71.0787250+￥70.6226500+￥69.90601000+￥69.58022500+￥69.12425000+￥68.7333 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPW17N80C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V95255+￥22.101350+￥21.1568200+￥20.6279500+￥20.49571000+￥20.36342500+￥20.21235000+￥20.11797500+￥20.0234 -
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品类: MOS管描述: N沟道 600V 47A12271+￥51.850010+￥48.8750100+￥46.6650250+￥46.3250500+￥45.98501000+￥45.60252500+￥45.26255000+￥45.0500 -
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品类: IGBT晶体管描述: UPS / 太阳能 1200 V 100 A 法兰安装 超级 场截止 IGBT - TO-247-345155+￥33.064250+￥31.6512200+￥30.8599500+￥30.66211000+￥30.46432500+￥30.23825000+￥30.09697500+￥29.9556 -
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品类: 电子元器件分类描述: Igbt 2500V 235A Plus24750841+￥299.977510+￥292.152050+￥286.1525100+￥284.0657200+￥282.5006500+￥280.41381000+￥279.10952000+￥277.8053 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP50B60PD1PBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚40031+￥256.438510+￥249.748850+￥244.6200100+￥242.8361200+￥241.4982500+￥239.71431000+￥238.59932000+￥237.4844
